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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所

摘要：本发明属于集成电路设计技术领域，具体涉及一种用于电流型DC‑DC转换器的自适应死区时间控制电路；该电路包括：误差运放输出电压采样转换电路，用于对DC‑DC输出电压和输出电流进行实时采样；死区时间控制电路，用于实现DC‑DC输出电压和输出电流对死区时间的控制；误差运放输出电压采样转换电路输出端与死区时间控制电路输入端连接；本发明通过对误差运放的输出电压的实时采样，由电压采样转换电路和死区时间控制电路，实现死区时间跟随输出电压和输出电流进行动态变化，达到最优的死区时间控制；本发明相比传统的固定死区时间设计，具有更高的智能性，可以应对各种条件下的复杂输出环境，具有广阔的应用前景。

主权项：1.一种用于电流型DC-DC转换器的自适应死区时间控制电路，其特征在于，包括：误差运放输出电压采样转换电路，用于对DC-DC输出电压和输出电流进行实时采样；误差运放输出电压采样转换电路包括：第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2、第三PMOS管PM3、第四PMOS管PM4、第五PMOS管PM5、第一NMOS管NM1、第二NMOS管NM2、第三NMOS管NM3、第一电阻R1、第三PMOS管PM3和第一电容C1；第一PMOS管PM1的源极与电源连接，第一PMOS管PM1的栅极与第一偏置电压REF1连接，第一PMOS管PM1的漏极与第二PMOS管PM2的源极和第三PMOS管PM3的源极连接；第二PMOS管PM2的源极与第三PMOS管PM3的源极连接，第二PMOS管PM2的栅极与误差运放输出EAOUT连接，第二PMOS管PM2的漏极与第一NMOS管NM1的漏极、第三NMOS管NM3的栅极以及第一电容C1负端连接；第三PMOS管PM3的栅极与第四PMOS管PM4的漏极、第三NMOS管NM3的漏极、第一电阻R1的正端以及第二电阻R2的正端连接；第一NMOS管NM1的漏极与第三NMOS管NM3的栅极和第一电容C1的负端连接，第一NMOS管NM1的栅极与第二NMOS管NM2的栅极、第二NMOS管NM2的漏极以及第三PMOS管PM3的漏极连接，第一NMOS管NM1的源极与地连接；第二NMOS管NM2的栅极与第二NMOS管NM2的漏极和第三PMOS管PM3的漏极连接，第二NMOS管NM2的漏极与第一NMOS管NM1的栅极和第三PMOS管PM3的漏极连接，第二NMOS管NM2的源极与地连接；第三NMOS管NM3的源极与地连接，第三NMOS管NM3的漏极与第四PMOS管PM4的漏极、第一电阻R1的正端以及第二电阻R2正端连接；第四PMOS管PM4的栅极与第二偏置电压REF2连接，第四PMOS管PM4的漏极与第一电阻R1的正端和第二电阻R2的正端连接，第四PMOS管PM4的源极与第五PMOS管PM5的漏极、第五PMOS管PM5的栅极、第六PMOS管PM6的栅极以及第七PMOS管PM7的栅极连接；第五PMOS管PM5的栅极与第五PMOS管PM5的漏极连接，第五PMOS管PM5的源极与电源连接；第一电容C1的正端与第一电阻R1的负端连接，第二电阻R2的正端与第一电阻R1的正端连接，第二电阻R2的负端与地连接；死区时间控制电路，用于实现DC-DC输出电压和输出电流对死区时间的控制；死区时间控制电路包括：第六PMOS管PM6、第七PMOS管PM7、第四NMOS管NM4、第五NMOS管NM5、第二电容C2、第三电容C3、第一比较器COMP1和第二比较器COMP2；第六PMOS管PM6的栅极与第七PMOS管PM7的栅极连接，第六PMOS管PM6的源极与电源连接，第六PMOS管PM6的漏极与第四NMOS管NM4的漏极、第二电容C2的正端以及第一比较器COMP1的正端连接；第七PMOS管PM7的源极与电源连接，第七PMOS管PM7的漏极与第五NMOS管NM5的漏极、第三电容C3的正端以及第二比较器COMP2的正端连接；第四NMOS管NM4的栅极与第一输入信号PWM-连接，第四NMOS管NM4的源极与地连接，第四NMOS管NM4的漏极与第二电容C2正端和第一比较器COMP1的正端连接；第五NMOS管NM5的栅极与第二输入信号PWM+连接，第五NMOS管NM5的源极与地连接，第五NMOS管NM5的漏极与第三电容C3的正端和第二比较器COMP2的正端连接；第二电容C2的负端与第三电容C3的负端均与地连接，第一比较器COMP1的正端与第二电容C2的正端连接，第一比较器COMP1的负端与第二比较器COMP2的负端和参考电压REF3连接，第二比较器COMP2的正端与第三电容C3的正端连接；误差运放输出电压采样转换电路输出端与死区时间控制电路输入端连接。

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