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申请/专利权人：英飞凌科技加拿大公司
摘要：一种在衬底上外延生长的超晶格外延结构。超晶格外延结构包括构成多个层序列的外延层。多个层序列中的每一个包括对应下层和在对应下层上外延生长的对应上层。外延层的晶格参数在向上移动通过超晶格外延结构时交替地更低和更高或更高和更低。相邻的更低和更高外延层中晶格参数的差异也可以随着向上移动通过外延结构而改变。因此，通过改变晶格参数之间的差异，可以利用增加垂直穿过超晶格外延结构看到的电阻的效果来设计在该水平承受的应变，从而允许该结构更薄和或以更高的电压工作。
主权项：1.一种在衬底上外延生长的超晶格外延结构，所述超晶格外延结构包括由多个层序列组成的多个外延层，所述多个层序列中的每一个包括对应下层和在所述对应下层上外延生长的对应上层，其中对于所述多个层序列中的第一层序列，所述下层具有晶格参数，所述晶格参数与所述衬底和所述第一层序列的更高层相比具有幅度极性，其中对于所述多个层序列中的附加层序列，与先前层序列的更高层相比以及与对应层序列的更高层相比，所述对应层序列的所述下层具有所述幅度极性，一个层序列的下层和更高层的晶格参数之间的差异不同于另一层序列的下层和更高层的晶格参数。
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权利要求：
百度查询： 英飞凌科技加拿大公司 具有可变晶格参数差异的超晶格外延结构
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