Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 国际服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

一种ReS2二维超晶格结构的制备方法及其应用 

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

申请/专利权人:合肥工业大学

摘要:本发明提供了一种ReS2二维超晶格结构的制备方法及其应用,在相邻的两个ReS2单分子纳米层之间插入单层碳,其具有多重效应:不仅可以增宽ReS2的层间间距,便于碱金属离子快速的插入脱出;还可以改善ReS2的表面和内部的电子传导性,以充分加速电子的传输;另外,ReS2被限域在两个单层碳结构之间,提高充放电过程中的固‑固反应活性。如此独特的纳米结构也可以和碳基材料组成导电网络,形成一个坚固的框架,具有出色的纳米结构稳定性。本发明所得产物结构独特、形貌规则、成分均一、无杂质相,且电化学特性优异。

主权项:1.一种ReS2二维超晶格结构的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1、称取2-6mmolCH4N2S或C2H5NS加入到3-10mL的去离子水中,搅拌1-20分钟,得到溶液A;步骤2、取20-400mg碳基材料加入到15-30mL的去离子水中超声0.1-5小时,再搅拌0.1-2小时,继续加入0.5-1.5mmol的NH4ReO4和2-6mmol的NH3OHCl搅拌1-40分钟,得到溶液B;步骤3、向所述溶液B中依次加入1-6mL的氨基化合物和0.5-8g的还原类糖,搅拌1-20分钟,得到溶液C;步骤4、将所述溶液C迅速转移至溶液A中,密封搅拌10-40分钟,获得混合溶液;将所述混合溶液转移到反应釜中并在160-220℃下反应12-24小时,得初始产物;步骤5、将所述初始产物离心清洗后置于真空干燥箱干燥,获得中间产物;步骤6、将所述中间产物置于管式炉中,然后在真空环境下升温至500-900℃,保温1-3小时,最后冷却至室温,即获得目标产物ReS2二维超晶格结构。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 合肥工业大学 一种ReS2二维超晶格结构的制备方法及其应用

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。