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申请/专利权人：南京国科半导体有限公司
摘要：本发明涉及红外探测器技术领域，具体涉及一种GaAs基锑化物GaSb量子点外延材料及其制备方法；包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、InAsGaSb量子点和GaAs盖层，GaAs衬底的上表面生长有GaAs缓冲层，GaAs缓冲层的上表面生长有InAs淀积层，InAs淀积层的上表面生长有GaSb淀积层，此两层构成InAsGaSb量子点，量子点上生长有GaAs盖层；制备方法为：设置GaAs衬底转速，加热GaAs衬底；在GaAs衬底脱氧后，在580℃温度下生长GaAs缓冲层；降温至500℃生长量子点；生长GaAs盖层，通过上述方式，获得便于制备的效果。
主权项：1.一种GaAs基锑化物GaSb量子点外延材料，其特征在于，包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、InAs淀积层、GaSb淀积层和GaAs盖层，所述GaAs衬底的上表面生长有所述GaAs缓冲层，所述GaAs缓冲层的上表面生长有所述InAs淀积层，所述InAs淀积层的上表面生长有所述GaSb淀积层，所述GaSb淀积层的上表面生长有所述GaAs盖层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京国科半导体有限公司 一种GaAs基锑化物GaSb量子点外延材料及其制备方法
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