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申请/专利权人：苏州焜原光电有限公司
摘要：本发明公开了一种InAsAlxGa1‑xSb缓变超晶格过渡层、具有缓变过渡层的InAsGaSb势垒型红外探测器及生长方法，其中缓变超晶格过渡层由多个超晶格原胞重复堆叠N个周期形成，超晶格原胞包括InAs层，第一InAsxSb1‑x层，AlxGa1‑xSb层，第二InAsxSb1‑x层，相邻超晶格原胞对应层的厚度、AlxGa1‑xSb组分单调渐变，采用本发明结构的缓变超晶格过渡层及势垒型红外探测器，使过渡层的能带结构过渡平滑，消除因材料参数突变而产生的带阶，提高器件载流子输运性能与量子效率。
主权项：1.一种InAsAlxGa1-xSb缓变超晶格过渡层，其特征在于：所述缓变超晶格过渡层用于制备InAsGaSb势垒型红外探测器，探测器包括InAsGaSb超晶格吸收层和InAsAlSb超晶格势垒层，所述的InAsAlxGa1-xSb缓变超晶格过渡层插入在InAsGaSb超晶格吸收层和InAsAlSb超晶格势垒层之间，由多个超晶格原胞重复堆叠N个周期形成，超晶格原胞包括InAs层，第一InAsxSb1-x层，AlxGa1-xSb层，第二InAsxSb1-x层，相邻超晶格原胞对应层的厚度、AlxGa1-xSb组分单调渐变；第n周期过渡层超晶格原胞内各层厚度如下：其中2≤n≤NInAs层第一InAsSb层 层第二InAsSb层第n周期超晶格原胞内AlxGa1-xSb层中Al平均组分其中DInAs、DInAsSb1、DAlxGa1-xSb、DInAsSb2依次为过渡层首个超晶格原胞InAs层、第一InAsSb层、AlxGa1-xSb层、第二InAsSb层的厚度，D'InAs、D'InAsSb1、D'AlxGa1-xSb、D'InAsSb2依次为过渡层末尾的超晶格原胞InAs层、第一InAsSb层、AlxGa1-xSb层、第二InAsSb层的厚度，XAlGaSb为过渡层首个超晶格原胞AlxGa1-xSb层Al组分，X'AlGaSb为过渡层末尾的超晶格原胞AlxGa1-xSb层Al组分。
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权利要求：
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