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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要：一种SRAM单元以及存储器，SRAM单元包括：所述栅极结构露出的有源区用于形成源漏区，且所述栅极结构和位于所述栅极结构两侧的源漏区用于构成MOS晶体管；在所述第一下拉区中，所述第一栅极结构以及第二栅极结构均暴露出两侧的有源区，且所述第一栅极结构和第二栅极结构之间电连接，位于所述第一栅极结构和第二栅极结构远离彼此一侧的源漏区之间电连接；在所述第二下拉区中，所述第一栅极结构以及第二栅极结构均暴露出两侧的有源区，且所述第一栅极结构和第二栅极结构之间电连接，位于所述第一栅极结构和第二栅极结构远离彼此一侧的源漏区之间电连接。本发明实施例提升了SRAM单元的性能。
主权项：1.一种SRAM单元，其特征在于，包括：衬底；多个有源区，位于所述衬底内，所述有源区沿第一方向延伸且沿第二方向排列；所述衬底包括沿第二方向排列的第一下拉区以及第二下拉区；多个栅极结构，位于所述有源区上且沿第二方向延伸；多个栅极结构包括位于第一列的第一栅极结构和位于第二列的第二栅极结构，所述第一列和第二列相邻；其中，所述栅极结构露出的有源区用于形成源漏区，且所述栅极结构和位于所述栅极结构两侧的源漏区用于构成MOS晶体管；在所述第一下拉区中，所述第一栅极结构以及第二栅极结构均暴露出两侧的有源区，且所述第一栅极结构和第二栅极结构之间电连接，位于所述第一栅极结构和第二栅极结构远离彼此一侧的源漏区之间电连接；在所述第二下拉区中，所述第一栅极结构以及第二栅极结构均暴露出两侧的有源区，且所述第一栅极结构和第二栅极结构之间电连接，位于所述第一栅极结构和第二栅极结构远离彼此一侧的源漏区之间电连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 SRAM单元以及存储器
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