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申请/专利权人：IMEC非营利协会;鲁汶天主教大学

摘要：本公开涉及三维3D静态随机存取存储器SRAM，并提供一种3DSRAM单元和用于加工该3DSRAM的晶体管的方法。SRAM单元包括被布置在第一层级中的两个PU晶体管、被布置在位于第一层级上方或下方的第二层级中的两个PD晶体管、以及被布置在第一层级或第二层级中的两个PG晶体管。PU晶体管和PD晶体管形成一对交叉耦合的反相器。在第一替换方案中，各晶体管都是鳍式晶体管，每一PU晶体管具有第一数目的鳍，每一PD晶体管具有第二数目的鳍，并且如果PG晶体管被布置在第一层级中，则第一数目与第二数目之比是2:1，或者如果PG晶体管被布置在第二层级中，则第一数目与第二数目之比是1:2。

主权项：1.一种三维3D静态随机存取存储器SRAM单元100，400，500，1100，1400，1700，包括：布置在所述SRAM单元100，400，500，1100，1400，1700的第一层级101中的两个上拉PU晶体管；布置在所述SRAM单元100，400，500，1100，1400，1700的第二层级102中的两个下拉PD晶体管，所述第二层级102布置在所述第一层级101上方或下方；其中所述两个PU晶体管和所述两个PD晶体管形成一对交叉耦合的反相器；以及布置在所述第一层级101或所述第二层级102中的两个传输门PG晶体管；其中在所述SRAM单元100，400，500，1100，1400，1700中：每一晶体管是鳍式晶体管，每一PU晶体管具有第一数目的鳍1a，每一PD晶体管具有第二数目的鳍2b，并且如果PG晶体管被布置在所述第一层级101中，则所述第一数目与所述第二数目之比是2:1，或者如果PG晶体管被布置在所述第二层级102中，则所述第一数目与所述第二数目之比是1:2；或者每一晶体管是基于纳米片的晶体管，每一PU晶体管具有第一纳米片1b，1c宽度，每一PD晶体管具有第二纳米片2b，2c宽度，并且如果PG晶体管被布置在所述第一层级101中，则所述第一纳米片宽度与所述第二纳米片宽度之比是2:1，或者如果PG晶体管被布置在所述第二层级102中，则所述第一纳米片宽度与所述第二纳米片宽度之比是1:2。

全文数据：

权利要求：

百度查询： IMEC非营利协会 鲁汶天主教大学 高性能低功率3D SRAM单元及工艺集成流程