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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开实施例提供一种存储器的形成方法，存储器的形成方法包括：提供第一衬底；在第一衬底的表面形成具有垂直栅极的晶体管阵列；在晶体管阵列表面键合载体基板；去除第一衬底并形成与晶体管阵列电性连接的电容结构；其中，第一衬底用于作为形成电容结构的第一牺牲层。
主权项：1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供第一衬底；在所述第一衬底的表面形成具有垂直栅极的晶体管阵列；在所述晶体管阵列表面键合载体基板；去除所述第一衬底并形成与所述晶体管阵列电性连接的电容结构；其中，所述第一衬底用于作为形成所述电容结构的第一牺牲层。
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百度查询： 长鑫存储技术有限公司 存储器的形成方法
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