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申请/专利权人：青岛海存微电子有限公司
摘要：本申请提供一种磁存储器及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于解决磁存储器的抗磁能力不佳的技术问题，该磁存储器包括衬底、设置于衬底上的磁隧道结、设置于磁隧道结上的顶电极和设置于顶电极上的钝化层；顶电极与磁隧道结电性连接，顶电极被构造为呈预设图形，依据顶电极的形状以及磁隧道结的磁致伸缩系数来设置钝化层的应力，以增大磁隧道结的矫顽场。本申请能够提升诱导磁隧道结的磁各向异性的效果，增强磁隧道结的矫顽场性能，从而提高磁存储器的抗磁能力，提升数据存储的稳定性。
主权项：1.一种磁存储器，其特征在于，包括：衬底、设置于所述衬底上的磁隧道结、设置于所述磁隧道结上的顶电极和设置于所述顶电极上的钝化层；所述顶电极与所述磁隧道结电性连接，所述顶电极被构造为呈预设图形，依据所述顶电极的形状以及所述磁隧道结的磁致伸缩系数来设置所述钝化层的应力，以增大所述磁隧道结的矫顽场。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 青岛海存微电子有限公司 磁存储器及其制备方法
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