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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本发明提供一种增加NORDFlash工艺平台编程窗口的方法，提供衬底，衬底上形成叠层，叠层由自下而上依次堆叠的栅氧化层、浮栅多晶硅层、ONO层、控制栅多晶硅层和硬掩膜层组成，ONO层由自下而上依次堆叠的第一氧化层、第一氮化硅层、第二氧化层组成；刻蚀存储单元区域上的硬掩膜层及其下方的控制栅多晶硅层形成凹槽，使得凹槽底部的硬掩膜层裸露；在凹槽上形成侧墙层，回刻蚀侧墙层，使得刻蚀停止在第一氧化层上，侧墙层保留在凹槽的侧壁上；在凹槽中形成牺牲层，刻蚀凹槽底部的牺牲层及其下方的浮栅多晶硅层至栅氧化层上。本发明的方法提供一种工艺替代SiN回刻蚀形成擦除尖角；可以减少电荷陷阱的产生，增加编程窗口，减少相关失效。
主权项：1.一种增加NORDFlash工艺平台编程窗口的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，所述衬底上形成叠层，所述叠层由自下而上依次堆叠的栅氧化层、浮栅多晶硅层、ONO层、控制栅多晶硅层和硬掩膜层组成，所述ONO层由自下而上依次堆叠的第一氧化层、第一氮化硅层、第二氧化层组成；步骤二、刻蚀所述存储单元区域上的所述硬掩膜层及其下方的所述控制栅多晶硅层形成凹槽，使得所述凹槽底部的所述硬掩膜层裸露；步骤三、在所述凹槽上形成侧墙层，回刻蚀所述侧墙层，使得刻蚀停止在所述第一氧化层上，所述侧墙层保留在所述凹槽的侧壁上；步骤四、在所述凹槽中形成牺牲层，刻蚀所述凹槽底部的牺牲层及其下方的所述浮栅多晶硅层至所述栅氧化层上；步骤五、刻蚀去除所述牺牲层以及所述侧墙层的顶端部分，形成擦除尖角结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 增加NORD Flash工艺平台编程窗口的方法
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