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申请/专利权人:无锡中微爱芯电子有限公司
摘要:本发明涉及flash技术领域,本发明提供了一种提高flash使用寿命的数据存储方法,解决了现有技术的方案复杂,需要对flash各区域进行划分,擦写情况进行管理,影响读写速度,应用不友好等问题;包括如下步骤:步骤1.通过上位机下载写入程序;步骤2.上位机回退程序流程步骤和步骤3.芯片工作流程步骤。这种方法使flash各区域擦除次数一致,不需要记录次数。而且支持首次写入程序的首地址灵活选择,可以将芯片初始化程序或者固定数据放在低地址上,应用程序跳过此块区域,不需要每次重新烧写。
主权项:1.一种提高flash使用寿命的数据存储方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1.通过上位机下载写入程序;步骤2.上位机回退程序流程步骤和步骤3.芯片工作流程步骤:其中步骤1包括:1.1计算得到当前写入程序的大小;1.2读取信息域的次数映射值MM1,计算得到上次存储地址信息的地址AX;1.3读取上次存储地址信息AAX;1.4从上次存储地址的位置开始烧写程序,直至完成;1.5写入本次次数映射值MM2MM2=MM11,在AX+1地址上写入本次存储地址信息;其中步骤2包括:2.1读取信息域的次数映射值MM1,计算得到上次存储地址信息的地址AX;2.2读取上次存储地址信息和上上次的存储地址信息;2.3写入本次次数映射值MM2MM2=MM11,在AX+1地址上写入上上次的存储地址信息和上次的存储地址信息组合值;其中步骤3包括:上电加载信息域的次数映射值MM1,计算得到上次存储地址信息的地址AAX;读取上次存储地址信息,存放入程序加载入口寄存器中;上电完成后,执行程序从程序加载入口寄存器的值开始。
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权利要求:
百度查询: 无锡中微爱芯电子有限公司 一种提高flash使用寿命的数据存储方法
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