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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
摘要：本申请公开了一种NANDFlash控制器接口电路及闪存系统，NANDFlash控制器接口电路包括命令地址时序产生电路，其中命令地址时序产生电路可以根据接口选择信号确定目标接口模式对应的时间参数，并根据目标接口模式对应的时间参数，产生目标接口模式对应的命令周期时序和地址周期时序，目标接口模式可以为SDR模式、NV‑DDR2模式、NV‑DDR3模式中的任意一种，这样命令地址时序产生电路可以根据接口选择信号而确定对应的时间参数，根据多个时间参数而工作在多个目标接口模式之下，实现了电路模块的复用，无需对应多种目标接口模块而设置不同的电路模块，节省电路资源。
主权项：1.一种NANDFlash控制器接口电路，其特征在于，包括：命令地址时序产生电路，用于根据接口选择信号确定目标接口模式对应的时间参数，并根据所述目标接口模式对应的时间参数，产生所述目标接口模式对应的命令周期时序和地址周期时序，以进入所述目标接口模式对应的数据传输周期；所述目标接口模式为SDR模式、NV-DDR2模式、NV-DDR3模式中的任意一种，使所述命令地址时序产生电路复用在SDR模式、NV-DDR2模式和NV-DDR3模式之下。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种NAND Flash控制器接口电路及闪存系统
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