买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司

摘要：本发明提供一种改善NORDFlash层间介质层填充的方法，提供衬底，衬底中形成有多个浅沟槽隔离结构，衬底上形成有叠层，叠层由依次堆叠的栅氧化层、浮栅、极间介质层、控制栅、硬掩膜层组成；依次在存储区上形成第一侧墙结构、第二侧墙结构、隧穿氧化层、字线多晶硅层；刻蚀字线多晶硅层至所需高度，之后形成覆盖字线多晶硅层的字线氧化层；湿法刻蚀硬掩膜层，使得硬掩膜层的高度低于字线氧化层，之后刻蚀字线氧化层两侧直角区域处形成台阶状结构；去除硬掩膜层，以字线氧化层、第一侧墙为掩膜刻蚀叠层形成存储单元结构。本发明形成的台阶状结构在刻蚀过程后，可形成一个小斜坡扩大后续层间介质层填充的关键尺寸，有利于层间介质层的填充。

主权项：1.一种改善NORDFlash层间介质层填充的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，所述衬底中形成有多个浅沟槽隔离结构，所述衬底上形成有叠层，所述叠层由自下而上依次堆叠的栅氧化层、浮栅、极间介质层、控制栅、硬掩膜层组成；依次在存储区上形成第一侧墙结构、第二侧墙结构、隧穿氧化层、字线多晶硅层，其中，所述第一侧墙结构位于所述硬掩膜层中；所述第二侧墙结构位于所述控制栅和所述ONO介质层中且覆盖所述第一侧墙结构的部分侧面；所述隧穿氧化层位于所述浮栅和所述栅氧化层中且覆盖所述第二侧墙结构和所述第一侧墙结构的剩余侧面，所述隧穿氧化层呈U型；所述字线多晶硅层填充所述隧穿氧化层内侧构成的U型空间；步骤二、刻蚀所述字线多晶硅层至所需高度，之后形成覆盖所述字线多晶硅层的字线氧化层；步骤三、刻蚀所述硬掩膜层，使得所述硬掩膜层的高度低于所述字线氧化层，之后刻蚀所述字线氧化层两侧直角区域处形成台阶状结构；步骤四、去除所述硬掩膜层，以所述字线氧化层、所述第一侧墙为掩膜刻蚀所述叠层形成存储单元结构，使得原所述台阶状结构处形成为斜坡状结构；步骤五、形成覆盖所述存储单元结构的第三侧墙材料层，所述第三侧墙材料层由第一氧化层侧墙、氮化层侧墙和第二氧化层侧墙组成，回刻蚀所述第三侧墙材料层，形成位于所述存储单元结构侧壁上的第三侧墙结构，之后去除所述第二氧化层侧墙。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 上海华虹宏力半导体制造有限公司 改善NORD Flash层间介质层填充的方法