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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明提供了一种基于嵌入式NORD工艺的PPS电容器的制备方法及NORD闪存器件，应用于半导体制造技术领域。在本发明中，通过先对形成定义出的逻辑区的栅极的掩膜版的优化，让其同步打开部分PPS电容区的方式，为后续露出作为PPS电容器下极板的浮栅层作准备，之后再对多晶硅和氧化物进行具有高选择比的刻蚀工艺，去除所述PPS电容区中的作为下极板的浮栅层上的控制栅层甚至部分层间介质层，之后再通过制备存储区中分离的存储单元的刻蚀工艺和清洗工艺，去除剩余的部分层间介质层，直接露出所述作为下极板的浮栅层，便可在基底上形成NORD闪存器件的存储单元、逻辑器件的同时形成PPS电容器，让NORD闪存器件与PPS电容器兼容，降低制造成本，并提高闪存器件的制造效率。
主权项：1.一种基于嵌入式NORD工艺的PPS电容器的制备方法，其特征在于，至少包括如下步骤：提供一基底，所述基底包括存储区和逻辑区，在所述基底的整个表面上自下而上依次形成栅氧化层、浮栅层、层间介质层及控制栅层；形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层遮蔽所述存储区和部分所述逻辑区，以露出部分所述逻辑区；刻蚀去除所述逻辑区中露出部分所对应的控制栅层，以将该去除了部分所述控制栅层的基底区域定义为逻辑区，并将所述逻辑区中未去除所述控制栅层的剩余区域定义为PPS电容区；形成字线材料层于所述基底上，所述字线材料层填满所述存储区中的字线开口且同时还延伸覆盖在所述定义出的逻辑区中；去除部分所述字线材料层，以在所述存储区中形成字线的同时去除所述定义出的逻辑区和PPS电容区中的字线材料层；形成制作逻辑区栅极的栅极材料层于所述定义出的逻辑区中，并刻蚀所述栅极材料层，以在所述定义出的逻辑区中形成逻辑区栅极，并同时至少去除所述PPS电容区中的部分所述控制栅层；去除所述存储区中部分区域的所述控制栅层、层间介质层、浮栅层以及栅氧化层，以在所述存储区上形成NORD闪存器件的存储单元。
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权利要求：
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