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申请/专利权人：武汉新芯集成电路股份有限公司
摘要：本申请公开了一种电容器件及电容器件的制造方法，电容器件包括：半导体基体、至少三层电极板层、至少两层绝缘层；至少三层电极板层层叠设置在半导体基体上，其中，第一电极板层包括连接部和多个延伸部，多个延伸部分别与连接部连接，第二电极板层覆盖延伸部，第三电极板层覆盖第二电极板层；第一绝缘层设置在延伸部和第二电极板层之间，第二绝缘层设置在第二电极板层和第三电极板层之间。即本申请的技术方案，通过形成多层电极板层，且第一电极板层包括连接部和延伸部，在延伸部上形成多层电极板层，并且在垂直方向上增加绝缘层面积，进而有效提升电容器件的电容值，以提升后续产品的性能。
主权项：1.一种电容器件，其特征在于，包括：半导体基体；至少三层电极板层，层叠设置在所述半导体基体上，其中，第一电极板层包括连接部和多个延伸部，所述连接部和所述延伸部设置在所述半导体基体上，且所述连接部和所述延伸部位于同一层，多个所述延伸部分别与所述连接部连接，第二电极板层覆盖所述延伸部，第三电极板层覆盖所述第二电极板层，所述连接部沿第一方向延伸，多个所述延伸部沿第二方向延伸，且相邻的所述延伸部之间形成有第一沟槽；至少两层绝缘层，其中，第一绝缘层设置在所述延伸部和所述第二电极板层之间，第二绝缘层设置在所述第二电极板层和所述第三电极板层之间，且所述第一绝缘层覆盖所述延伸部和所述第一沟槽，所述第二电极板层覆盖所述延伸部和所述第一沟槽上的所述第一绝缘层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉新芯集成电路股份有限公司 一种电容器件及电容器件的制造方法
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