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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明提供了一种Nord闪存器件的形成方法，包括：在衬底上形成浮栅层、层间介质层、控制栅层和硬掩膜层，硬掩膜层具有第一开口；在第一开口内形成第一侧墙、第二侧墙和隧穿氧化层，隧穿氧化层形成字线开口；在字线开口内形成第一字线多晶硅，第一字线多晶硅的表面低于第一侧墙的顶部；在第一字线多晶硅和硬掩膜层之间形成凹槽；在第一字线多晶硅层的表面形成第二字线多晶硅，第二字线多晶硅填充凹槽；氧化第一字线多晶硅层表面的第二多晶硅形成氧化硅，保留第一侧墙表面的第二字线多晶硅层；去除氧化硅；在第一字线多晶硅层和第二字线多晶硅的表面形成钴硅化物；在钴硅化物上形成层间介质层和通孔结构，通孔结构连通第一字线多晶硅层。
主权项：1.一种Nord闪存器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底的表面依次形成浮栅层、层间介质层、控制栅层和硬掩膜层，所述硬掩膜层具有第一开口；在所述第一开口内形成第一侧墙、第二侧墙和隧穿氧化层，所述第一侧墙覆盖所述硬掩膜层的侧墙，所述第二侧墙覆盖第一侧墙、控制栅层的侧壁和层间介质层的侧壁，隧穿氧化层覆盖第二侧墙、浮栅层的侧壁和衬底表面，所述隧穿氧化层形成字线开口；在所述字线开口内形成第一字线多晶硅，所述第一字线多晶硅的表面低于所述第一侧墙的顶部；刻蚀部分厚度的第一侧墙，以在所述第一字线多晶硅和所述硬掩膜层之间形成凹槽；在所述第一字线多晶硅层的表面形成第二字线多晶硅，并且所述第二字线多晶硅填充所述凹槽；氧化所述第一字线多晶硅层表面的第二多晶硅，以形成一层氧化硅，保留所述第一侧墙表面的第二字线多晶硅层；去除所述氧化硅，露出所述第一字线多晶硅层的表面；在所述第一字线多晶硅层和第二字线多晶硅的表面形成钴硅化物；在所述钴硅化物的表面形成层间介质层以及位于所述层间介质层内的通孔结构，所述通孔结构连通所述第一字线多晶硅层。
全文数据：
权利要求：
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