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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司

摘要：本发明提供一种NORDFlash工艺制造方法，包括：提供一半导体结构；于半导体结构的表面形成硬掩膜层；以图案化刻蚀后的硬掩膜层为掩膜刻蚀存储区的控制栅多晶硅层、栅间介质层及浮栅多晶硅层以形成存储区栅极结构、字线填充槽及位线填充槽，并刻蚀控制栅连接带的控制栅多晶硅层以形成连接带栅极结构及连接带填充槽；于字线填充槽、位线填充槽及连接带填充槽内填满多晶硅；于字线的表面形成掩膜层；无选择比刻蚀硬掩膜层、形成于位线填充槽及连接带填充槽内的多晶硅；刻蚀以完全去除位线填充槽内剩余的多晶硅；于存储区栅极结构的控制栅多晶硅层的表面形成金属硅化物。通过本发明解决了现有的控制栅电阻较高的问题。

主权项：1.一种NORDFlash工艺制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤1提供一半导体结构，其包括半导体衬底、栅氧化层、浮栅多晶硅层、栅间介质层、控制栅多晶硅层及浅沟槽隔离结构，其中，所述半导体衬底分为存储区及控制栅连接带，存储区由下到上包括所述栅氧化层、所述浮栅多晶硅层、所述栅间介质层及所述控制栅多晶硅层，控制栅连接带由下到上包括所述浅沟槽隔离结构、所述栅间介质层及所述控制栅多晶硅层，且所述浅沟槽隔离结构形成于所述半导体衬底内，其表面高于所述半导体衬底的表面；步骤2于所述半导体结构的表面形成硬掩膜层，并对其进行图案化刻蚀；步骤3以图案化刻蚀后的所述硬掩膜层为掩膜刻蚀存储区的所述控制栅多晶硅层、所述栅间介质层及所述浮栅多晶硅层以形成存储区栅极结构及位于所述存储区栅极结构之间的字线填充槽与位线填充槽，且所述字线填充槽与所述位线填充槽间隔设置，并刻蚀控制栅连接带的所述控制栅多晶硅层以形成连接带栅极结构及位于所述连接带栅极结构之间的连接带填充槽；步骤4于所述字线填充槽、所述位线填充槽及所述连接带填充槽内填满多晶硅，其中，填充有多晶硅的所述字线填充槽形成字线；步骤5于所述字线的表面形成掩膜层；步骤6无选择比刻蚀所述硬掩膜层及形成于所述位线填充槽与所述连接带填充槽内的多晶硅，直至所述硬掩膜层剩余预设厚度，此时，形成于所述位线填充槽内的多晶硅有剩余，再刻蚀去除所述位线填充槽内剩余的多晶硅；步骤7于所述存储区栅极结构的控制栅多晶硅层、所述字线、所述连接带栅极结构的控制栅多晶硅层表面形成金属硅化物。

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