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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明提供了一种NORDFLASH的测试方法，包括：将存储单元分为多个参考存储单元和多个用户存储单元；量测参考存储单元的电流并判断是否在第一预设值内，如果是，则对对应的用户存储单元进行CP测试；筛选出所有进行过CP测试的用户存储单元进行良率统计和失效分析，对位于预设标准差内的用户存储单元对应的参考存储单元进行电流调节；方法包括：若用户存储单元对写0并对当前位读0的编程失效率高于第二预设值，且参考存储单元的电流低于第三预设值，则降低参考存储单元的写深度，若用户存储单元写0并对相邻位读1串扰的失效率高于第四预设值，且参考存储单元的电流低于第五预设值，则增加参考存储单元的写深度。
主权项：1.一种NORDFLASH的测试方法，其特征在于，包括：步骤S1：将芯片的存储单元分为多个参考存储单元和多个与所述参考存储单元对应的用户存储单元；步骤S2：量测每个所述参考存储单元的电流；步骤S3：判断所述参考存储单元的电流是否在第一预设值内，如果是，则对所述参考存储单元对应的用户存储单元进行CP测试；步骤S4：按照步骤S2～步骤S3筛选出所有进行过CP测试的用户存储单元，对所有所述用户存储单元进行良率统计和失效分析，对位于预设标准差内的所述用户存储单元对应的参考存储单元进行电流调节；其中，所述电流调节的方法包括：若所述用户存储单元对写0并对当前位读0的编程失效率高于第二预设值，且所述参考存储单元的电流低于第三预设值，则降低所述参考存储单元的写深度，以提高所述参考存储单元的电流，若所述用户存储单元写0并对相邻位读1串扰的失效率高于第四预设值，且所述参考存储单元的电流低于第五预设值，则增加所述参考存储单元的写深度，以降低所述参考存储单元的电流。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 NORD FLASH的测试方法
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