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申请/专利权人：广州市艾佛光通科技有限公司
摘要：本发明公开了一种具有缓冲层的高质量AlN薄膜及其制备方法与应用，属于半导体材料制备领域，方法步骤包括：在衬底上形成卟啉类化合物涂层作为缓冲层；在缓冲层上物理气相沉积AlN种子层；在AlN种子层上化学气相沉积AlN外延层，得到具有缓冲层的高质量AlN薄膜。本发明首先在衬底制备卟啉类化合物缓冲层，该类化合物为二维层状结构且能与AlN分子的Al形成配位键，能够有效地缓解AlN薄膜与衬底之间的晶格失配与热适配；随后在卟啉类化合物缓冲层上通过PVD沉积AlN种子层，能够为后续AlN的生长提供较好的成核位点；最后通过MOCVD可生长晶体质量高的AlN薄膜。
主权项：1.一种具有缓冲层的高质量AlN薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上形成卟啉类化合物涂层作为缓冲层；在所述缓冲层上物理气相沉积AlN种子层；在所述AlN种子层上化学气相沉积AlN外延层，得到具有缓冲层的高质量AlN薄膜。
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百度查询： 广州市艾佛光通科技有限公司 具有缓冲层的高质量AlN薄膜及其制备方法与应用
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