龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要：本发明公开了一种Ga辅助AlN薄膜的生长方法及应用。所述生长方法包括：在衬底周围形成等离子体，向所述等离子体中通入含氮气体和氢气，并在1000℃以上的温度下通入气态的Al源和Ga源，在Ga源分解产生的Ga元素的催化作用下，在所述衬底表面沉积形成AlN薄膜。本发明所提供的生长方法首次发现了Ga在MPCVD生长AlN薄膜时的催化作用，在微波等离子体、氢气等条件的作用下，作为催化剂的Ga不会结合在AlN薄膜中，因此得到的AlN薄膜具有较高的纯度以及结晶度，并且发现Ga的催化作用显著提高了AlN薄膜生长速率，最终在Ga的催化作用下获得了高生长速率、高品质的AlN薄膜。
主权项：1.一种Ga辅助AlN薄膜的生长方法，其特征在于，包括：在衬底周围形成等离子体；向所述等离子体中通入含氮气体和氢气，并在1000℃以上的温度下通入气态的Al源和Ga源，在Ga源分解产生的Ga元素的催化作用下，在所述衬底表面沉积形成AlN薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 Ga辅助AlN薄膜的生长方法及应用
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号