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申请/专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要：本发明涉及一种利用吸氧导流层促进反应熔渗制备AlN‑SiC复相陶瓷的方法。所述制备方法包括：1将氮化硅粉体、碳源、粘结剂和溶剂球磨混合，得到浆料；将浆料通过流延工艺获得浆料片，经干燥、裁剪、加压固化、热解处理，获得熔渗预制体；2将熔渗预制体置于石墨坩埚中，在其表面依次铺一层陶瓷粉体和纤维，在预制体表面制备吸氧导流层；3将Al‑Si合金块放置在吸氧导流层上面，经过高温反应烧结获得致密的AlN‑SiC复相陶瓷。
主权项：1.一种利用吸氧导流层促进反应熔渗制备AlN-SiC复相陶瓷的方法，其特征在于，包括以下步骤：1将氮化硅粉体、碳源、粘结剂和溶剂球磨混合，得到浆料；将浆料通过流延工艺获得浆料片，经干燥、裁剪、加压固化、热解处理，获得熔渗预制体；2将熔渗预制体置于石墨坩埚中，在其表面依次铺一层陶瓷粉体和纤维，在预制体表面制备吸氧导流层；3将Al-Si合金块放置在吸氧导流层上面，经过高温反应烧结获得致密的AlN-SiC复相陶瓷。
全文数据：
权利要求：
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