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申请/专利权人：南京南瑞半导体有限公司

摘要：本发明公开了一种沟槽型SiC器件及其制备方法，通过利用二次外延方法在沟槽型SiC器件中引入一种渐进式电场调制区结构，渐进式电场调制区采用的是渐进式结构，即第一结构区相比于第二结构区窄，即与栅沟槽、阱区的间距更大，从而可降低电场调制区与阱区的自然耗尽作用，以解决因两者之间的耗尽作用而导致的导通夹断效应，进而增强器件的电流导通能力。可有效调制器件内部电场，消除沟槽底部的电场聚集效应，还可降低沟槽底部栅氧中的电场强度，避免栅氧击穿，从而可防止器件过早击穿烧毁，提升器件可靠性。同时还可有效避免电场调制结构与阱区的自然耗尽作用，从而防止器件导通性能恶化。此外，本发明的制备方法与现有技术中的平栅型SiCMOSFET器件制备方法兼容，因此可实现高性能、批量化沟槽型SiC器件制备及生产。

主权项：1.一种沟槽型SiC器件，其特征在于，包括衬底101、位于所述衬底101上方的第一外延层103、位于所述衬底101下方的漏极电极119、位于所述第一外延层103中的渐进式电场调制区104、位于所述渐进式电场调制区104上方的第二外延层105、位于所述第二外延层105中的阱区106、位于所述阱区106中的接触区107和源区108、位于所述第一外延层103和所述第二外延层105内中心的栅沟槽109、填充在所述栅沟槽109内的栅介质层110、填充在所述栅介质层110表面的多晶硅层111；所述阱区106位于所述渐进式电场调制区104上表面，所述接触区107位于所述阱区106两端，且所述源区108位于所述接触区107之间；所述栅沟槽109贯穿所述阱区106和所述源区108中心直至所述第一外延层103上部；所述第二外延层105上表面设有钝化层112，所述钝化层112两侧的空间作为源极窗口113，所述源极窗口113内设有源极欧姆接触层114，所述源极欧姆接触层114下表面与所述接触区107和源区108上表面接触，所述源极欧姆接触层114上设有源极电极117，所述钝化层112中心形成的凹槽作为有栅极窗口115，所述栅极窗口115内设有栅极电极116，所述栅极电极116下表面与所述多晶硅层111接触；所述衬底101下表面设有漏极欧姆接触层118，所述漏极欧姆接触层118位于所述衬底101和漏极电极119之间。

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