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申请/专利权人：江南大学
摘要：本发明公开一种采用新型导通电阻建模方法的SiCMOSFETSPICE行为模型，建模方法包括：通过实际测试获取SiC器件在栅极电压为14V、16V、18V和20V下环境温度为25℃、75℃、125℃的输出特性曲线；提取并绘制不同栅极电压下导通电阻随温度的变化曲线和在环境温度为25℃条件下导通电阻随栅极电压变化曲线；导通电阻建模，采用拟合公式RDVgs,T对不同栅极电压下导通电阻随温度的变化曲线进行拟合，获取拟合参数值；采用拟合公式R25Vgs对环境温度为25℃条件下导通电阻随栅极电压变化曲线进行拟合，获取拟合参数值；建立导通电阻Ron模型；SiCMOSFETSPICE行为模型构建。
主权项：1.一种采用新型导通电阻建模方法的SiCMOSFETSPICE行为模型，其特征在于，所述新型导通电阻建模方法包括：步骤一、基于半导体参数分析仪对SiCMOSFET进行测试，获取器件在栅极电压为14V、16V、18V和20V下环境温度为25℃、75℃、125℃的输出特性曲线；步骤二、提取导通电阻：根据步骤1实测的输出特性曲线，在器件漏源极电流Ids＝20A条件下，提取不同温度和栅极电压条件下的导通电阻，并绘制不同栅极电压下导通电阻随温度的变化曲线和在环境温度为25℃条件下导通电阻随栅极电压变化曲线；步骤三、导通电阻建模：1根据不同栅极电压下导通电阻随温度的变化曲线，采用拟合公式RDVgs,T对实验数据进行拟合，获取拟合参数值a、b、c、d、e、f、g、m；2采用拟合公式R25Vgs，对环境温度为25℃条件下导通电阻随栅极电压变化曲线进行拟合，获取拟合参数值aa、bb、cc、dd；3建立导通电阻Ron模型；步骤四、SiCMOSFETSPICE行为模型构建，包括沟道电流模型Ids，用来表征SiCMOSFET内核，阈值电压温度补偿模型ETEMPT，栅漏电容Cgd、栅源电容Cgs、漏源电容Cds、体二极管Dbody、内部栅极电阻Rg。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江南大学 一种采用新型导通电阻建模方法的SiC MOSFET SPICE行为模型
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