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申请/专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
摘要：一种提高抗浪涌电流冲击的SiC器件及制备方法，涉及半导体技术领域。本发明在六边形源胞的SiCMOSFET器件中通过牺牲一部分的沟道通流区，作为浪涌电流通流的PP区面积增大，从而使得浪涌电流通流面积更大，因此器件的抗浪涌电流冲击的能力更强。
主权项：1.一种提高抗浪涌电流冲击的SiC器件制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S100，在SiC衬底层（1）上外延生长SiC漂移层（2）；S200，在SiC漂移层（2）上利用Al离子注入形成若干间隔设置的P-body区（3）；S300，在SiC漂移层（2）上采用N离子注入在沟道通流区的P-body区（3）内形成NP区（4）；S400，在SiC漂移层（2）上采用Al离子注入在沟道通流区的NP区（4）中和浪涌通流区的P-body区（3）中分别形成PP区（5）；S500，在SiC漂移层（2）上通过N离子注入形成CSL区（6）；S600，在SiC漂移层（2）上采用高温离子激活使P-body区（3）、NP区（4）、PP区（5）和CSL区（6）完全形成；S700，在SiC漂移层（2）上通过干氧氧化形成栅氧化层（7）；S800，在SiC漂移层（2）与栅氧化层（7）上淀积多晶硅Poly，形成所需要的Poly层（8）；S900，在NP区（4）和Poly层（8）上通过淀积氧化物经致密化后形成隔离介质层（9）；S1000，在SiC漂移层（2）上退火形成欧姆接触合金层（10）；S1100，在器件上形成正面电极金属层（11）。
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权利要求：
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