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申请/专利权人：南通大学
摘要：本发明属于半导体器件领域，提供了一种电流孔径垂直电子晶体管及其制备方法。该电流孔径垂直电子晶体管包括：衬底；位于衬底的下表面上的漏极；位于衬底的上表面上的N型漂移区和位于N型漂移区两侧并与N型漂移区邻接的第一层、第二层电流阻挡层；位于N型漂移区上和第二层电流阻挡层的至少一部分上的沟道区；位于沟道区上的势垒层和P型层；位于第二层电流阻挡层上并邻接沟道区、势垒层和P型层的源极；位于P型层上的栅极；位于源极和栅极之间的钝化层。该电流孔径垂直电子晶体管及其制备方法改善能带结构，提高阈值电压；增强栅控能力，提高跨导；优化电场分布，提高击穿电压；降低导通电阻，提高输出特性。
主权项：1.一种电流孔径垂直电子晶体管，其特征在于，所述电流孔径垂直电子晶体管包括：衬底110；位于衬底110的下表面上的漏极121；位于衬底110的上表面上的N型漂移区130和位于N型漂移区130两侧并与N型漂移区130邻接的第一层电流阻挡层140；位于第一层电流阻挡层140上并与N型漂移区130邻接的第二层电流阻挡层150；位于N型漂移区130上和第二层电流阻挡层150的至少一部分上的沟道层160；位于沟道层160上的势垒层170；位于势垒层170上的P型层180；位于第二层电流阻挡层150上并邻接沟道层160和势垒层170的源极122；位于P型层180上的栅极123；位于源极122和栅极123之间并与源极122、栅极123、和P型层180邻接的钝化层190。
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