龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
摘要：一种功率半导体器件包括半导体层结构，该半导体层结构包括第一导电类型的漂移区以及位于半导体层结构上的第一接触件和第二接触件。漂移区包括宽带隙半导体材料，以及被配置为在电流密度阈值以下提供第一接触件和第二接触件之间的单极传导，和在电流密度阈值以上提供第一接触件和第二接触件之间的双极传导。还讨论了相关的器件和制造方法。
主权项：1.一种功率半导体器件，包括：半导体层结构，包括第一导电类型的漂移区；以及半导体层结构上的第一接触件和第二接触件，其中漂移区包括宽带隙半导体材料，以及其中漂移区被配置为在电流密度阈值以下提供第一接触件和第二接触件之间的单极传导，以及在电流密度阈值以上提供第一接触件和第二接触件之间的双极传导。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 沃孚半导体公司 宽带隙单极/双极晶体管
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号