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申请/专利权人：沃孚半导体公司
摘要：一种功率半导体器件包括半导体层结构，该半导体层结构包括第一导电类型的漂移区以及位于半导体层结构上的第一接触件和第二接触件。漂移区包括宽带隙半导体材料，以及被配置为在电流密度阈值以下提供第一接触件和第二接触件之间的单极传导，和在电流密度阈值以上提供第一接触件和第二接触件之间的双极传导。还讨论了相关的器件和制造方法。
主权项：1.一种功率半导体器件，包括：半导体层结构，包括第一导电类型的漂移区；以及半导体层结构上的第一接触件和第二接触件，其中漂移区包括宽带隙半导体材料，以及其中漂移区被配置为在电流密度阈值以下提供第一接触件和第二接触件之间的单极传导，以及在电流密度阈值以上提供第一接触件和第二接触件之间的双极传导。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 沃孚半导体公司 宽带隙单极/双极晶体管
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