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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
摘要：本申请公开了一种堆叠纳米片围栅场效应晶体管的制备方法及场效应晶体管。该制备方法包括：在衬底上沉积形成叠层，叠层包括交替层叠设置的多个硅材料纳米片层与多个硅合金层；刻蚀硅合金层形成第一回缩腔，第一回缩腔位于相邻两个硅材料纳米片层之间；在第一回缩腔中制备覆盖第一回缩腔内侧表面的保护层，保护层凹陷形成第二回缩腔；基于第二回缩腔制备位于衬底上的栅极和两个源漏极，栅极与任一源漏极之间均形成有一空气侧墙；去除第一空间内的第一介电常数介质，第一空间为空气侧墙内由最高层的硅材料纳米片层上表面、栅极、以及任一源漏极所围成的空间，制备的晶体管结构较为简单，大幅降低了寄生电容，能够提高晶体管所在电路的工作效率。
主权项：1.一种堆叠纳米片围栅场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上沉积形成叠层，所述叠层包括交替层叠设置的多个硅材料纳米片层与多个硅合金层；刻蚀所述硅合金层形成第一回缩腔，所述第一回缩腔位于相邻两个所述硅材料纳米片层之间；在所述第一回缩腔中制备覆盖所述第一回缩腔内侧表面的保护层，所述保护层凹陷形成第二回缩腔；基于所述第二回缩腔制备位于所述衬底上的栅极和两个源漏极，所述栅极与任一所述源漏极之间均形成有一空气侧墙；去除第一空间内的第一介电常数介质；所述第一空间为所述空气侧墙内由最高层的硅材料纳米片层上表面、所述栅极、以及任一所述源漏极所围成的空间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 堆叠纳米片围栅场效应晶体管的制备方法及场效应晶体管
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