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申请/专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
摘要：本公开涉及具有位于光学光栅耦合器之上的光学吸收体层的集成电路结构。本公开的实施例提供了一种集成电路IC结构，其包括：用于光信号的光学介质；以及耦合到光学介质的光学光栅耦合器。光学光栅耦合器被配置为重定向来自光学介质的光。包覆材料位于光学光栅耦合器之上。吸收体层位于包覆材料之上并且竖直地位于光学光栅耦合器上方。
主权项：1.一种集成电路IC结构，包括：用于光信号的光学介质；耦合到所述光学介质的光学光栅耦合器，其中所述光学光栅耦合器被配置为重定向来自所述光学介质的光；位于所述光学光栅耦合器之上的包覆材料；以及位于所述包覆材料之上并且竖直地位于所述光学光栅耦合器之上的吸收体层，其中，所述光学光栅耦合器位于所述光学介质的上表面上并且位于所述光学介质与所述吸收体层之间，以及其中，所述光学介质横向终止于位于所述光学光栅耦合器下方的所述包覆材料内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 格芯(美国)集成电路科技有限公司 具有位于光学光栅耦合器之上的光学吸收体层的集成电路结构
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