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申请/专利权人：北京理工大学;北京微通道科技有限公司
摘要：本发明是一种用于催化丙烷芳构化的Ga2O3@HZSM‑5催化剂及其制备方法，涉及催化剂技术领域，Ga2O3@HZSM‑5催化剂中Ga2O3分散于HZSM‑5表面和或孔道内，Ga2O3@HZSM‑5催化剂为细小纳米棒结构聚集结合而成的微米颗粒，以Ga2O3@HZSM‑5质量为基准，Ga的质量百分含量为0.5‑3%。本发明制备得到的Ga2O3@HZSM‑5催化剂表现出优异的催化丙烷芳构化性能和BTX选择性，Ga2O3@HZSM‑5不仅可提供大量的Lewis酸性位点，增强分子筛的脱氢性能，而且具有较强的抗积炭失活能力，可避免HZSM‑5催化芳构化反应的选择性较低，并且容易失活的问题，适合在低碳烷烃芳构化催化剂领域推广应用。
主权项：1.一种用于催化丙烷芳构化的Ga2O3@HZSM-5催化剂，其特征在于，所述Ga2O3@HZSM-5催化剂中Ga2O3高度分散于HZSM-5表面和或孔道内，所述Ga2O3@HZSM-5催化剂为细小纳米棒结构聚集结合而成的微米颗粒，以Ga2O3@HZSM-5质量为基准，其中Ga的质量百分含量为0.5-3％。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京理工大学 北京微通道科技有限公司 一种用于催化丙烷芳构化的Ga2O3@HZSM-5催化剂及其制备方法
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