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申请/专利权人：朗姆研究公司
摘要：本文提供了用金属填充特征的方法，其包括抑制金属成核。本公开的一个方面涉及一种方法，所述方法包括提供具有特征和场区域的衬底，其中所述特征待用金属进行填充，所述特征包括特征表面和特征开口：执行抑制处理以抑制所述特征表面中的至少一些上的金属沉积；在执行所述抑制处理之后，执行第一化学气相沉积CVD操作，所述第一化CVD操作包括将所述特征暴露于金属前体和氢H2；在执行所述第一CVD操作之后，执行去抑制处理以减轻抑制；以及在减轻抑制之后，执行第二CVD操作，以在所述特征和或在所述场区域中沉积金属。
主权项：1.一种方法，其包括：提供衬底，所述衬底具有特征和场区域，其中所述特征待用金属进行填充，所述特征包括特征表面和特征开口；执行抑制处理，以抑制所述特征表面中的至少一些上的金属沉积；在执行所述抑制处理之后，执行第一化学气相沉积CVD操作，所述第一化CVD操作包括将所述特征暴露于金属前体和氢H2；在执行所述第一CVD操作之后，执行去抑制处理，以减轻抑制；以及在减轻抑制之后，执行第二CVD操作，以在所述特征或所述场区域中的至少一者中沉积金属。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 朗姆研究公司 利用成核抑制的特征填充
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