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申请/专利权人:长鑫存储技术有限公司
摘要:本公开提供了一种半导体设备的清洗方法及清洗系统,清洗方法包括:在第一预设条件下,使反应气体中的氟化氢与半导体设备的反应腔室内的ZrO2进行反应,生成固态ZrF4;抽出反应后反应腔室内的气体;在第二预设条件下,将固态ZrF4升华,以及抽出升华后的ZrF4气体。通过向半导体设备的反应腔室通入可以与ZrO2发生反应的反应气体,并将生成的固态ZrF4升华,以清洗反应腔室内部的ZrO2固体,该清洗方法可以避免对反应腔室内的零部件进行侵蚀,不会破坏零部件表面的粗糙度,提高半导体设备所生产的产品的良率;还降低了人为操作带来的误差风险,降低半导体设备清洗所需的时间成本和人力成本,提高了半导体设备清洗的工作效率,提高半导体设备的产能。
主权项:1.一种半导体设备的清洗方法,其特征在于,所述半导体设备的清洗方法用于半导体设备的反应腔室内ZrO2的清洗,包括:步骤S101,在第一预设条件下,使反应气体中的氟化氢与所述半导体设备的反应腔室内的ZrO2进行反应,生成固态ZrF4;步骤S102,抽出反应后所述反应腔室内的气体;步骤S103,在第二预设条件下,将所述固态ZrF4升华,以及抽出升华后的ZrF4气体。
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权利要求:
百度查询: 长鑫存储技术有限公司 半导体设备的清洗方法及清洗系统
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