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申请/专利权人：东南大学;南通江海储能技术有限公司
摘要：本发明公开了具有高赝电容性能的Zn‑CoP纳米棒及其制备方法，包括以下步骤：步骤一、将六水合硝酸锌、六水合硝酸钴、尿素和氟化铵置于去离子水中搅拌溶解；步骤二、得到Zn‑CoOHF前驱体；步骤三、将上述步骤二的前驱体置于瓷舟中，在氩气的保护下进行煅烧，得到锌掺杂的钴氧化物；步骤四、将上述步骤三得到的前驱体和磷酸盐分别置于两个瓷舟中，在高纯氩气的保护下进行磷化。待管式炉冷却至室温，得到最终产物Zn‑CoP，本发明在泡沫镍上直接生长Zn‑CoP纳米棒，成功避免了对粘合剂的需求，从而有效降低了活性材料和基板之间的内阻，有利于离子扩散和电子传输。
主权项：1.具有高赝电容性能的Zn-CoP纳米棒的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一、将六水合硝酸锌、六水合硝酸钴、尿素和氟化铵置于去离子水中搅拌溶解；步骤二、将上述步骤一的混合溶液和泡沫镍共同加入到四氟乙烯内衬的反应釜中，水热反应，冷去后将泡沫镍取出并清洗干燥，得到Zn-CoOHF前驱体；步骤三、将上述步骤二的前驱体置于瓷舟中，在氩气的保护下进行煅烧，得到锌掺杂的钴氧化物；步骤四、将上述步骤三得到的前驱体和磷酸盐分别置于两个瓷舟中，在高纯氩气的保护下进行磷化。待管式炉冷却至室温，得到最终产物Zn-CoP。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东南大学 南通江海储能技术有限公司 具有高赝电容性能的Zn-CoP纳米棒及其制备方法
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