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申请/专利权人:无锡舜铭存储科技有限公司
摘要:本发明提供了一种印记抑制方法,应用于铁电存储器的制造,包括在铁电存储器测试完成之后,由所述铁电存储器的控制电路向所述铁电存储单元施加抑制电压,以抑制所述铁电存储单元中印记的产生,提高铁电存储器的性能,并且通过铁电存储器的内部电路实现,无需外接电路,降低了检测成本,其中,所述抑制电压与所述铁电存储单元的写操作电压互为反向电压,且所述抑制电压大于或等于所述铁电存储单元的矫顽电压,且小于所述写操作电压。
主权项:1.一种印记抑制方法,应用于铁电存储器的制造,其特征在于,包括:在铁电存储器测试完成之后,由所述铁电存储器的控制电路向铁电存储单元施加抑制电压,包括:由所述铁电存储器的控制电路向所述铁电存储单元的字线连接端施加导通电压,以选通所述铁电存储单元,由所述铁电存储器的控制电路向所述铁电存储单元的板线连接端施加所述抑制电压,并使所述铁电存储单元的位线连接端接地;以抑制所述铁电存储单元中印记的产生,其中,所述抑制电压与所述铁电存储单元的写操作电压互为反向电压,且所述抑制电压大于或等于所述铁电存储单元的矫顽电压,且小于所述写操作电压;其中,所述控制电路包括铁电存储单元参数寄存器和数字稳压电路,所述铁电存储单元参数寄存器根据接收到的所述铁电存储器的操作指令输出铁电存储器状态参数信号,所述数字稳压电路依据所述铁电存储单元参数寄存器输出的铁电存储器状态参数信号将外部电压信号转换成施加在所述铁电存储单元上的所述写操作电压或所述抑制电压。
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