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申请/专利权人：合芯科技(苏州)有限公司;合芯科技有限公司

摘要：本申请提供数字集成电路设计领域的应用于LEF文件的天线门面积参数计算的方法、装置、储存介质及电子终端，通过对全芯片的SPICE网表进行计算以得到天线门面积参数，并将从ABSTRACT软件中生成得到的LEF文件中的天线门面积参数进行替换，从而解决了LEF文件在抽取的过程中造成的数据不准确导致无法计算准确的天线效应值的问题，本发明提升了LEF文件计算天线效应值的准确性，进而避免了芯片因产生天线效应而导致损坏。

主权项：1.一种应用于LEF文件的天线门面积参数计算方法，其特征在于，包括：接收全芯片的SPICE网表文件和LEF文件；基于所述SPICE网表文件生成得到更新天线门面积参数；使用所述更新天线门面积参数替换所述LEF文件中的初始天线门面积参数，以更新黑盒功能模块与全芯片之间的LEF文件；基于所述SPICE网表文件生成得到更新天线门面积参数的过程包括：从所述SPICE网表文件中提取引脚信息，根据所述引脚信息逐个判断各引脚是否连接有全芯片的栅极；对连接有全芯片的栅极的引脚，计算与该引脚相连的每个栅极的单个天线门面积参数，并累加所有与该引脚相连的每个栅极的单个天线门面积参数以得到加总天线门面积参数，基于预设系数和加总天线门面积参数相乘以得到该引脚的所述更新天线门面积参数；所述单个天线门面积参数的计算方式包括：si＝li*wi*mi；wi＝nfini-1*工艺系数*a；其中，si表示与所述引脚相连的第i个栅极的单个天线门面积参数；li表示与所述引脚相连的第i个栅极的长度，wi表示与所述引脚相连的第i个栅极的宽度，mi表示与所述引脚相连第i个栅极的MOSFET场效应管的数量，nfini表示与所述引脚相连第i个栅极的MOSFET场效应管所包含的栅极的数量，工艺系数根据不同的工艺类型选取对应的预设系数，a为常数；所述更新天线门面积参数的获取方式包括：S＝∑si*工艺系数*b；其中，S为更新天线门面积参数，si表示与所述引脚相连的第i个栅极的单个天线门面积参数，b为常数。

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