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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
摘要：本实用新型公开了一种高光提取率的LED芯片，涉及光电子制造技术领域。LED芯片包括衬底、复合反射层、N型半导体层、MQW层、P型半导体层、N电极和P电极；所述N型半导体层、MQW层、P型半导体层依次层叠于所述衬底的正面，所述N电极设于所述N型半导体层上，所述P电极设于所述P型半导体层上；所述复合反射层包括依次层叠于所述衬底背面的DBR层和Al金属层，所述DBR层的厚度≤500nm。实施本实用新型，可在保证高反射率的同时有效降低DBR层的厚度，进而提升工艺效率，降低生产成本。
主权项：1.一种高光提取率的LED芯片，其特征在于，包括衬底、复合反射层、N型半导体层、MQW层、P型半导体层、N电极和P电极；所述N型半导体层、MQW层、P型半导体层依次层叠于所述衬底的正面，所述N电极设于所述N型半导体层上，所述P电极设于所述P型半导体层上；所述复合反射层包括依次层叠于所述衬底背面的DBR层和Al金属层，所述DBR层为Ti3O5层和SiO2层交替层叠形成的周期性结构，其周期数为2～5；所述Ti3O5层的厚度为40nm～100nm，所述SiO2层的厚度为20nm～60nm，所述DBR层的厚度≤500nm；所述Al金属层的厚度为500nm～1000nm。
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权利要求：
百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 高光提取率的LED芯片
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