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申请/专利权人:江西兆驰半导体有限公司
摘要:本实用新型公开了一种高光提取率的LED芯片,涉及光电子制造技术领域。LED芯片包括衬底、复合反射层、N型半导体层、MQW层、P型半导体层、N电极和P电极;所述N型半导体层、MQW层、P型半导体层依次层叠于所述衬底的正面,所述N电极设于所述N型半导体层上,所述P电极设于所述P型半导体层上;所述复合反射层包括依次层叠于所述衬底背面的DBR层和Al金属层,所述DBR层的厚度≤500nm。实施本实用新型,可在保证高反射率的同时有效降低DBR层的厚度,进而提升工艺效率,降低生产成本。
主权项:1.一种高光提取率的LED芯片,其特征在于,包括衬底、复合反射层、N型半导体层、MQW层、P型半导体层、N电极和P电极;所述N型半导体层、MQW层、P型半导体层依次层叠于所述衬底的正面,所述N电极设于所述N型半导体层上,所述P电极设于所述P型半导体层上;所述复合反射层包括依次层叠于所述衬底背面的DBR层和Al金属层,所述DBR层为Ti3O5层和SiO2层交替层叠形成的周期性结构,其周期数为2~5;所述Ti3O5层的厚度为40nm~100nm,所述SiO2层的厚度为20nm~60nm,所述DBR层的厚度≤500nm;所述Al金属层的厚度为500nm~1000nm。
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百度查询: 江西兆驰半导体有限公司 高光提取率的LED芯片
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