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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明提供一种降低SRAM泄漏电流的方法，提供SRAM的版图，版图包括NMOS图形、PMOS图形、以及用于定义出NMOS图形位置的标记层图形；利用标记层图形将NMOS图形的区域形成到第一栅氧化层光罩上，从而得到第二栅氧化层光罩；在器件制造工艺中的栅氧化层形成后，在栅氧化层上形成光刻胶层，利用第二栅氧化层光罩打开光刻胶层，使得NMOS区域上的光刻胶层保留，其他区域上的栅氧化层裸露；刻蚀裸露的栅氧化层至所需厚度。本发明无需修改原始数据，无需新增光罩，即可通过栅氧化层光罩实现NMOS管区域的栅氧化层厚度调整。
主权项：1.一种降低SRAM泄漏电流的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供SRAM的版图，所述版图包括NMOS图形、PMOS图形、以及用于定义出NMOS图形位置的标记层图形；步骤二、利用所述标记层图形将所述NMOS图形的区域形成到第一栅氧化层光罩上，从而得到第二栅氧化层光罩；步骤三、在器件制造工艺中的栅氧化层形成后，在所述栅氧化层上形成光刻胶层，利用所述第二栅氧化层光罩打开光刻胶层，使得NMOS区域上的所述光刻胶层保留，其他区域上的所述栅氧化层裸露；步骤四、刻蚀裸露的所述栅氧化层至所需厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 降低SRAM泄漏电流的方法
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