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一种电源启动电流限制电路 

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申请/专利权人:中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所

摘要:本申请属于电子工程领域,具体涉及航空机载设备领域的一种电源启动电流限制电路。电路包括:瓷介独石电容器C1、瓷介独石电容器C2、表贴电阻器R1、表贴电阻器R2、表贴电阻器R3、表贴电阻器R4、表贴电阻器R5、表贴电阻器R6、硅稳压二极管VD1、硅稳压二极管VD2、P沟道功率MOSFET器件VT1;通过C1、C2和R5、R6控制P沟道功率MOSFET的漏级电压上升速率;通过R1、R2和R5、R6控制P沟道功率MOSFET的开通电压与分压电压,从而控制场效应管的开通时间与源漏极电压上升斜率;二者的共同作用下使该电路的负载感受到的输入电压上升速度变缓,实现过电流限制。

主权项:1.一种电源启动电流限制电路,其特征在于,包括,瓷介独石电容器C1、瓷介独石电容器C2、表贴电阻器R1、表贴电阻器R2、表贴电阻器R3、表贴电阻器R4、表贴电阻器R5、表贴电阻器R6、硅稳压二极管VD1、硅稳压二极管VD2、P沟道功率MOSFET器件VT1;该电路的输入正端为P沟道功率MOSFETVT1的漏极,输入负端接表贴电阻器R5、R6的一端,R5、R6的另一端接表贴电阻器R3、R4的一端,R3、R4的另一端接P沟道功率MOSFETVT1的栅极;表贴电阻器R1、R2的一端接P沟道功率MOSFETVT1的漏极,另一端接表贴电阻器R3、R5的公共连接端;瓷介独石电容器C1一端接P沟道功率MOSFETVT1的漏极,另一端与瓷介独石电容器C2串联,C2的另一端接表贴电阻器R3、R5的公共连接端;硅稳压二极管VD1的一端接P沟道功率MOSFETVT1的漏极,另一端与硅稳压二极管VD2串联,VD2的另一端接表贴电阻器R3、R5的公共连接端。

全文数据:

权利要求:

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