龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所
摘要：本申请属于电子工程领域，具体涉及航空机载设备领域的一种电源启动电流限制电路。电路包括：瓷介独石电容器C1、瓷介独石电容器C2、表贴电阻器R1、表贴电阻器R2、表贴电阻器R3、表贴电阻器R4、表贴电阻器R5、表贴电阻器R6、硅稳压二极管VD1、硅稳压二极管VD2、P沟道功率MOSFET器件VT1；通过C1、C2和R5、R6控制P沟道功率MOSFET的漏级电压上升速率；通过R1、R2和R5、R6控制P沟道功率MOSFET的开通电压与分压电压，从而控制场效应管的开通时间与源漏极电压上升斜率；二者的共同作用下使该电路的负载感受到的输入电压上升速度变缓，实现过电流限制。
主权项：1.一种电源启动电流限制电路，其特征在于，包括，瓷介独石电容器C1、瓷介独石电容器C2、表贴电阻器R1、表贴电阻器R2、表贴电阻器R3、表贴电阻器R4、表贴电阻器R5、表贴电阻器R6、硅稳压二极管VD1、硅稳压二极管VD2、P沟道功率MOSFET器件VT1；该电路的输入正端为P沟道功率MOSFETVT1的漏极，输入负端接表贴电阻器R5、R6的一端，R5、R6的另一端接表贴电阻器R3、R4的一端，R3、R4的另一端接P沟道功率MOSFETVT1的栅极；表贴电阻器R1、R2的一端接P沟道功率MOSFETVT1的漏极，另一端接表贴电阻器R3、R5的公共连接端；瓷介独石电容器C1一端接P沟道功率MOSFETVT1的漏极，另一端与瓷介独石电容器C2串联，C2的另一端接表贴电阻器R3、R5的公共连接端；硅稳压二极管VD1的一端接P沟道功率MOSFETVT1的漏极，另一端与硅稳压二极管VD2串联，VD2的另一端接表贴电阻器R3、R5的公共连接端。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所 一种电源启动电流限制电路
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号