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申请/专利权人：湍泰半导体香港有限公司
摘要：用于减少寄生漏电流的系统和方法。开关包含源极电阻器、第一晶体管、第二晶体管和中点晶体管。中点晶体管位于第一晶体管和第二晶体管之间。中点晶体管当开关处于非导电状态时，保持在低电压，并且低电压小于或等于开关的输出电压。
主权项：1.一种开关，所述开关包括：源极电阻器；第一晶体管，其中所述第一晶体管为金属氧化物半导体场效应MOSFET晶体管；第二晶体管，其中所述第二晶体管为MOSFET晶体管；以及中点晶体管，其中所述中点晶体管为MOSFET晶体管，并且其中所述中点晶体管位于所述第一晶体管和所述第二晶体管之间；其中所述中点晶体管当所述开关处于非导电状态时，保持在低电压；并且其中所述低电压小于或等于所述开关的输出电压。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湍泰半导体香港有限公司 配备有防止寄生漏电流的停驻的蓄电池管理系统
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