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申请/专利权人：中芯集成电路(宁波)有限公司
摘要：本发明公开了一种薄膜压电声波滤波器及其制造方法，其中薄膜压电声波滤波器的制造方法包括：提供第一基板，在第一基板上形成压电叠层结构，压电叠层结构包括依次形成在第一基板上的第一电极、压电层和第二电极；图形化压电叠层结构，形成多个有效谐振区，有效谐振区内的第一电极、压电层、第二电极在垂直于压电层方向上相互叠置；在每一有效谐振区的上方形成第一牺牲层，使第一牺牲层的边界遮盖有效谐振区的边界，且相邻第一牺牲层之间相互隔离；形成第一介质层，覆盖第一牺牲层及第一牺牲层之间相互隔离的区域；提供第二基板，将第二基板键合在第一介质层的上表面；去除第一基板；去除第一牺牲层。
主权项：1.一种薄膜压电声波滤波器的制造方法，其特征在于，包括：提供第一基板；在所述第一基板上形成压电叠层结构，所述压电叠层结构包括依次形成在所述第一基板上的第一电极、压电层和第二电极；图形化所述压电叠层结构，形成多个有效谐振区，所述有效谐振区内的所述第一电极、压电层、第二电极在垂直于所述压电层方向上相互叠置；在每一所述有效谐振区的上方形成第一牺牲层，使所述第一牺牲层的边界遮盖所述有效谐振区的边界，且相邻所述第一牺牲层之间相互隔离；形成第一介质层，覆盖所述第一牺牲层及所述第一牺牲层之间相互隔离的区域；提供第二基板，将所述第二基板键合在所述第一介质层的上表面，所述第二基板中形成有微器件；去除所述第一基板；去除所述第一牺牲层，形成第一空腔；去除所述第一基板后还包括：形成第二牺牲层，使每一所述第二牺牲层的边界遮盖每一所述有效谐振区的边界，并使相邻所述有效谐振区上的所述第二牺牲层相互隔离；形成盖帽层本体，覆盖所述第二牺牲层及相邻所述第二牺牲层之间相互隔离的区域；在所述盖帽层本体形成释放孔，所述释放孔暴露出所述第二牺牲层；通过所述释放孔，去除所述第二牺牲层，形成第二空腔；去除所述第二牺牲层后还包括：形成封盖层，覆盖所述盖帽层本体，所述封盖层部分嵌入所述释放孔内。
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权利要求：
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