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申请/专利权人：罗伯特·博世有限公司

摘要：功率鳍式场效应晶体管200具有两部分式控制电极和半导体本体201，所述半导体本体具有漂移层203和第二连接区域205，第二连接区域205布置在所述漂移层202上方并且第一沟槽206和第二沟槽207从第二连接区域205出发延伸至漂移层203中，第一沟槽206和第二沟槽207彼此交替地布置，其中，第二沟槽207具有比第一沟槽206小的宽度，在第一沟槽206下方布置屏蔽区211，所述屏蔽区211直接邻接第一沟槽206并且所述屏蔽区211与源极区域210导电连接，在第一沟槽206内分别布置两部分式控制电极201，每个两部分式控制电极201分别与第一沟槽206下方的屏蔽区211电绝缘，其特征在于，在第一沟槽206和第二沟槽207之间布置有鳍片212，所述鳍片211具有最大500nm的宽度。

主权项：1.用于制造具有两部分式控制电极的功率鳍式场效应晶体管的方法100，其中，所述功率鳍式场效应晶体管包括半导体本体，所述半导体本体具有第二连接区域和漂移层，其中，所述第二连接区域形成所述半导体本体的正面，所述方法具有以下步骤：借助光刻步骤在所述半导体本体的正面上产生105第一结构化掩模，其中，所述第一结构化掩膜具有氧化物区域和第一开口区域，所述第一开口区域暴露所述半导体本体的正面，借助从所述半导体本体的正面出发直至漂移层中的第一蚀刻过程在第一开口区域下方产生110第一沟槽，借助第一注入过程在第一沟槽下方产生115屏蔽区，将多晶硅层施加120到所述半导体本体的正面上，使得第一沟槽被填充，将各向同性的氧化物层施加125到所述半导体本体的正面上，借助第二蚀刻过程产生130第二结构化掩模，使得各向同性的氧化物层具有第二开口区域，并且第二开口区域暴露所述半导体本体的正面，借助从所述正面出发直至漂移层中的第三蚀刻过程在第二开口区域的下方产生135第二沟槽，其中，第二沟槽布置为基本上平行于第一沟槽，并且第一沟槽和第二沟槽交替，其中，第二沟槽具有比第一沟槽小的宽度，氧化140所述正面，使得另一氧化物层布置在所述正面上，借助第四蚀刻过程加宽145第一沟槽和第二沟槽，使得在第一沟槽与第二沟槽之间产生鳍片，其中，所述鳍片具有小于500nm的宽度，借助退火激活150屏蔽区，以及在第一沟槽内产生155两部分式控制电极。

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