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申请/专利权人：英飞凌科技德累斯顿公司
摘要：形成功率半导体器件的方法包括提供半导体本体；提供布置在半导体本体上或内的控制电极；在邻近控制电极的半导体本体中形成第一导电类型的多个升高源极区，形成升高源极区包括：将第一导电类型的掺杂剂注入半导体本体中；在半导体本体表面上形成凹陷掩模层；和通过第一蚀刻工艺去除未被凹陷掩模层覆盖的半导体本体的部分以形成升高源极区和邻近升高源极区的凹陷本体区，凹陷本体区布置在升高源极区之间。方法还包括在半导体本体表面上形成电介质层；在电介质层上形成接触孔掩模层；通过第二蚀刻工艺去除未被接触孔掩模层覆盖的电介质层的部分以形成接触孔；和用导电材料填充接触孔以建立与至少部分升高源极区和至少部分凹陷本体区的电接触。
主权项：1.一种形成功率半导体器件1的方法，包括：-提供具有表面100的半导体本体10；-提供控制电极141，其至少部分地布置在所述半导体本体10上或内部，并且被配置为控制所述半导体本体10中的负载电流；-在与所述控制电极141邻近的所述半导体本体10中形成第一导电类型的多个升高的源极区104，其中形成所述升高的源极区104至少包括以下步骤：将第一导电类型的掺杂剂注入到半导体本体10中；在半导体本体表面100上形成凹陷掩模层2，其中凹陷掩模层2至少覆盖预期源极区的区域104-1并且包括与所述控制电极141不同的材料；通过第一蚀刻工艺去除未被凹陷掩模层2所覆盖的半导体本体10的部分，以形成升高的源极区104和与升高的源极区104邻近的凹陷的本体区1021，其中凹陷的本体区1021至少部分地布置在升高的源极区104之间；-在半导体本体表面100上形成电介质层18；-在所述电介质层18上形成接触孔掩模层；-通过第二蚀刻工艺去除未被所述接触孔掩模层所覆盖的所述电介质层18的部分，以形成接触孔185；以及-用导电材料111至少部分地填充所述接触孔185，以便建立与所述升高的源极区104的至少一部分和所述凹陷的本体区1021的至少一部分的电接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英飞凌科技德累斯顿公司 功率半导体器件和形成功率半导体器件的方法
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