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申请/专利权人:西安理工大学
摘要:本发明公开了基于耦合谐振的高带外抑制交指低通滤波器,包括从上至下依次设置的上层RDL、硅介质基底及金属地,上层RDL内设置四个谐振器,其中三个谐振器为交指谐振器。本发明设计的低通滤波器能够实现很好的低通滤波特性以及带外抑制。
主权项:1.基于耦合谐振的高带外抑制交指低通滤波器,其特征在于:包括从上至下依次设置的上层RDL10、硅介质基底8及金属地9,上层RDL10内设置四个谐振器,其中三个谐振器为交指谐振器。
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权利要求:
百度查询: 西安理工大学 基于耦合谐振的高带外抑制交指低通滤波器
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