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申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司
摘要：一种电子部件100，包括：半导体本体102、在所述半导体本体102的中央部分中的有源区域104、以及用于释放应力且被形成为所述半导体本体102的侧向边缘部分112的应力释放结构106，所述侧向边缘部分112具有不超过所述半导体本体102的最大厚度D的40％的最小厚度d。
主权项：1.一种电子部件100，包括：·半导体本体102；·在所述半导体本体102的中央部分中的有源区域104；以及·用于释放应力且被形成为所述半导体本体102的侧向边缘部分112的应力释放结构106，所述侧向边缘部分112具有不超过所述半导体本体102的最大厚度D的40％的最小厚度d。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英飞凌科技股份有限公司 作为半导体本体的侧向边缘部分的应力释放结构
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