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申请/专利权人：株式会社电装
摘要：本发明涉及晶圆制造方法。从c轴以将中心轴L向偏离角方向Dθ上倾斜超过0度的偏离角后的状态设置的锭2得到晶圆的晶圆制造方法包含以下的过程、工序、或处理。通过对锭的高度方向上的一端侧的表面21照射具有透过性的激光束，在从表面起与晶圆的厚度对应的深度形成剥离层25。通过在偏离角方向上的锭的一端23沿一个方向施加负载，从而将作为锭的表面与剥离层之间的部分的晶圆前躯体26在剥离层从锭剥离。通过使通过从锭剥离晶圆前躯体从而得到的板状的剥离体的主面平坦化，从而得到晶圆。
主权项：1.一种晶圆制造方法，是从由单晶SiC构成并具有相互正交的c轴Lc和C面Pc的锭2得到晶圆1的晶圆制造方法，其中，包含：剥离层形成工序，通过对作为上述锭的高度方向上的一端侧的表面的顶面21照射具有透过性的激光束，在距离上述顶面与上述晶圆的厚度对应的深度形成剥离层25；晶圆剥离工序，在上述剥离层从上述锭剥离晶圆前躯体26，所述晶圆前躯体是上述顶面与上述剥离层之间的部分；以及晶圆平坦化工序，使通过上述晶圆剥离工序得到的板状的剥离体30的主面32平坦化，上述锭中的上述c轴以将与上述顶面正交的中心轴L向偏离角方向Dθ倾斜超过0度的偏离角θ后的状态设置，通过在上述偏离角方向上的上述锭的一端23侧沿一个方向施加负载来进行上述晶圆剥离工序。
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