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申请/专利权人：南通威斯派尔半导体技术有限公司
摘要：本发明公开了一种无银低CTE氮化硅覆铜陶瓷基板结构及制备方法，包括氮化硅陶瓷层（4），所述氮化硅陶瓷层（4）的顶部设置有焊料反应层一（3），所述焊料反应层一（3）的上方通过焊料连接层一（2）连接有铜合金层一（1），所述氮化硅陶瓷层（4）的底部设置有焊料反应层二（5），所述焊料反应层二（5）的下方通过焊料连接层二（6）连接铜合金层二（7），将各层装夹成叠层结构，叠层结构放置在真空钎焊炉中钎焊成氮化硅覆铜陶瓷基板，本发明使焊缝界面结构更易成型，能够减少焊料中IMC金属间化合物脆性材料的生成，更易形成特定的焊缝结构，对焊接覆铜陶瓷基板有较高的适配度。
主权项：1.一种无银低CTE氮化硅覆铜陶瓷基板结构，其特征在于，包括氮化硅陶瓷层（4），所述氮化硅陶瓷层（4）的顶部设置有焊料反应层一（3），所述焊料反应层一（3）的上方通过焊料连接层一（2）连接有铜合金层一（1），所述氮化硅陶瓷层（4）的底部设置有焊料反应层二（5），所述焊料反应层二（5）的下方通过焊料连接层二（6）连接铜合金层二（7）；所述铜合金层一（1）和铜合金层二（7）为铜与低熔点金属的合金；所述焊料反应层一（3）和焊料反应层二（5）为活性金属与氮化硅陶瓷反应生成的氮化层，所述氮化层由接近陶瓷的多活性金属合金焊料或焊片层与陶瓷反应所得；所述焊料连接层一（2）和焊料连接层二（6）为少或无活性金属焊料或焊片层与铜和少量的活化金属合金反应所得，所述焊料连接层一（2）和焊料连接层二（6）无Ag合金。
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