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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本申请公开了一种CIS的制作方法，包括：在衬底上形成第一外延层；在第一外延层上形成刻蚀阻挡层；在衬底、第一外延层和刻蚀阻挡层中形成通孔，该通孔的深度和宽度的比值大于4，通孔深入至衬底表面以下的区域；进行硅钴镍处理以修复通孔内壁的形貌；在通孔中填充掺杂外延层以形成CIS的光电二极管。本申请通过在CIS的光电二极管的制作过程中，在形成光电二极管的高深宽比的通孔后，通过硅钴镍处理以修复通孔内壁的形貌，从而解决了通孔内壁会生长自然氧化层使得外延填充的过程中出现位错的问题，提高了器件产品的可靠性和良率。
主权项：1.一种CIS的制作方法，其特征在于，包括：在衬底上形成第一外延层；在所述第一外延层上形成刻蚀阻挡层；在衬底、第一外延层和刻蚀阻挡层中形成通孔，所述通孔的深度和宽度的比值大于4，所述通孔深入至所述衬底表面以下的区域；进行硅钴镍处理以修复所述通孔内壁的形貌；在所述通孔中填充掺杂外延层以形成CIS的光电二极管。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 CIS的制作方法
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