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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
摘要：本发明公开了一种MSM结构的GaN肖特基双向变容二极管及其制作方法，双向变容二极管包括半绝缘衬底、第一阳极、第二阳极、第一空气桥、第二空气桥、第一加电平板、第二加电平板和有源区隔离台；所述第一加电平板和第二加电平板均设于半绝缘衬底上，所述第一加电平板通过第一空气桥与第一阳极连接，所述第二加电平板通过第二空气桥与第二阳极连接。本发明的制作方法为：通过光刻和刻蚀工艺形成阳极有源区隔离台面，第一加电平板和第二加电平板形成在半绝缘衬底上并通过空气桥分别于第一阳极和第二阳极相连。本发明用AlxGa1‑xNGaN形成的高迁移率二维电子气结和GaN高掺n+层，能降低二极管的串联电阻；利用AlxGa1‑xNGaN的C‑V强非线性特点提升二极管的变容比。
主权项：1.一种MSM结构的GaN肖特基双向变容二极管，其特征在于，包括半绝缘衬底1、第一阳极21、第二阳极22、第一空气桥31、第二空气桥32、第一加电平板41、第二加电平板42和有源区隔离台8；所述有源区隔离台8设于半绝缘衬底1上，从下往上依次包括GaN缓冲层2、GaN高掺n+层3、GaN低掺杂n-层4、AlxGa1-xN表面势垒层5和阳极保护介质层6；所述第一阳极21和第二阳极22平行排列，均设于AlxGa1-xN表面势垒层5上；第一阳极21和第二阳极22的侧面、上端面均设有阳极保护介质层6，且上端面的阳极保护介质层6上均设有通孔；所述第一加电平板41和第二加电平板42均设于半绝缘衬底1上，所述第一加电平板41通过第一空气桥31与第一阳极21连接，所述第二加电平板42通过第二空气桥32与第二阳极22连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种MSM结构的GaN肖特基双向变容二极管及其制作方法
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