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申请/专利权人：北京光智元科技有限公司
摘要：本申请实施例提供了一种集成式化学气相沉积系统、半导体集成设备，包括传送模块，与传送模块连接的中转模块，与中转模块分别连接的预处理反应室，外延薄膜缓冲层生长腔以及外延薄膜生长腔；传送模块将待处理衬底经中转模块传送至预处理反应室，以对待处理衬底进行表面预处理，获得目标衬底并传送至外延薄膜缓冲层生长腔，以在目标衬底上生成外延薄膜缓冲层，并传送至外延薄膜生长腔；外延薄膜缓冲层释放由目标衬底与目标外延材料之间晶格常数以及热膨胀系数失配引起的应力；外延薄膜生长腔用于获得目标衬底上的目标外延薄膜。本申请提供的系统能解决异质材料集成时，晶格常数及热膨胀系数失配导致外延材料产生高密度缺陷的问题。
主权项：1.一种集成式化学气相沉积系统，其特征在于，包括传送模块，与所述传送模块连接的中转模块，以及与所述中转模块分别连接的预处理反应室，外延薄膜缓冲层生长腔以及外延薄膜生长腔；其中，所述传送模块用于将待处理衬底经所述中转模块传送至所述预处理反应室；所述预处理反应室用于对所述待处理衬底进行表面预处理，获得目标衬底，并将所述目标衬底经所述中转模块传送至所述外延薄膜缓冲层生长腔；所述外延薄膜缓冲层生长腔用于在所述目标衬底上生成外延薄膜缓冲层，并将包含所述外延薄膜缓冲层的目标衬底经所述中转模块传送至所述外延薄膜生长腔；所述外延薄膜缓冲层释放由所述目标衬底与目标外延材料之间晶格常数以及热膨胀系数失配引起的应力；所述外延薄膜生长腔用于获得所述目标衬底上的目标外延薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京光智元科技有限公司 集成式化学气相沉积系统、半导体集成设备
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