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申请/专利权人：无锡固电半导体股份有限公司

摘要：本发明提供一种小面积芯片的粘片方法，属于半导体晶体管封装技术领域，包括以下步骤：步骤一：提供自动装片机轨道；步骤二：将自动装片机轨道升温冲入保护气；步骤三：引线框架匀速进入自动装片机轨道，通过四个升温区升温至焊料熔融温度，到达点锡区时在引线框架上点锡，到达整型区时压模器进行压模整形；步骤四：引线框架到达装片区时，吸嘴带动芯片到达焊料层表面上方2mm处，随后吸嘴带动芯片慢速到达焊料层表面上方0.2mm处，停留延时；步骤五：将芯片吹到引线框架的焊料层表面；步骤六：完成焊料与芯片的固化焊接。本发明的使芯片背面四周焊料回流一致，无翘片、无芯片坍陷、空洞率可达到整体≤5%、单个空洞率≤2%，保证了晶体管热阻一致性。

主权项：1.一种小面积芯片的粘片方法，其特征在于：将吸嘴（82）吸取芯片（11）后，通过晶体管吹片的粘片方法将芯片（11）粘片在引线框架（10）上，粘片方法具体包括以下步骤：步骤一：提供自动装片机轨道（1），自动装片机轨道轨道依次包括第一升温区（2）、第二升温区（3）、第三升温区（4）、第四升温区（5）、点锡区（6）、整型区（7）、装片区（8）、降温区（9），所述点锡区（6）上设置点锡器（61），所述整型区（7）上设置压模器（71），所述装片区（8）上设置焊头（81），所述焊头（81）上吸嘴（82）；步骤二：将自动装片机轨道（1）升温，打开保护气，通过保护气管道给自动装片机轨道（1）内冲入保护气；步骤三：自动装片机轨道（1）到达设定温度后，引线框架（10）匀速进入自动装片机轨道（1），通过第一升温区（2）、第二升温区（3）、第三升温区（4）、第四升温区（5）升温至焊料熔融温度，到达点锡区（6）时，在引线框架（10）上点锡，到达整型区（7）时压模器（71）进行压模整形，将点锡的焊料整形为大于芯片（11）面积的焊料层（12）；步骤四：引线框架（10）到达装片区（8）时，吸嘴（82）吸取芯片（11）后，吸嘴（82）通过焊头（81）的焊接臂带动芯片（11）到达焊料层（12）表面上方2mm处，随后吸嘴（82）带动芯片（11）以10-20mms的速度到达焊料层（12）表面上方0.2mm处，停留延时20-30ms；步骤五：将焊头（81）上的吸嘴（82）真空关闭，随后将吸嘴（82）中吹保护气，将芯片（11）吹到引线框架（10）的焊料层（12）表面；步骤六：装片完的引线框架（10）往降温区（9）移动，完成焊料与芯片（11）的固化焊接，出料。

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