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申请/专利权人：应用材料公司
摘要：本文讨论的系统和方法与在处理腔室中使用以制造半导体、电子器件、光学器件和其它器件的基板支撑基座相关联。所述基板支撑基座包括静电吸盘主体，所述静电吸盘主体经由结合层结合到冷却基部。气流通道形成在所述静电吸盘主体的顶表面与所述冷却基部的底表面之间，并且多孔塞定位在所述气流通道中。所述气流通道穿过所述结合层中的孔和所述多孔塞，并且具有与所述结合层中的所述孔的内边缘物理屏蔽的扫掠容积，以保护所述结合层免受侵蚀。
主权项：1.一种基板支撑基座，包括：冷却基部，所述冷却基部具有顶表面；静电吸盘主体，所述静电吸盘主体具有设置在所述冷却基部的所述顶表面之上的底表面；结合层，所述结合层将所述静电吸盘主体固定到所述冷却基部；气流通道，所述气流通道形成在所述静电吸盘主体的顶表面与所述冷却基部的底表面之间，所述气流通道穿过所述结合层；以及多孔塞，所述多孔塞设置在所述气流通道中，所述多孔塞延伸经过所述静电吸盘主体的所述底表面的与所述结合层接触的部分、穿过所述结合层中的孔、并且经过所述冷却基部的所述顶表面的与所述结合层接触的部分。
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